Паразитная емкость и температурные характеристики МОП-транзистора

Емкость МОП-транзистора

В структуре силового МОП-транзистора, как показано на рисунке 1, имеется паразитная емкость.

С точки зрения структуры силового МОП-транзистора, как показано на рисунке 1, существует паразитная емкость. Вывод G (затвор) МОП-транзистора изолирован от других электродов оксидной пленкой, а между DS (стоком, истоком) формируется PN-переход для формирования встроенной диодной структуры. Емкость Cgs, Cgd определяется емкостью оксидной пленки, а Cds – емкостью перехода встроенного диода.

Вообще говоря, три типа Ciss/Coss/Crss в таблице 1 записаны в спецификации MOSFET.

Как показано на рис. 2, характеристики емкости зависят от напряжения VDS между DS (стоком и истоком). Чем больше VDS, тем меньше значение емкости.

Температурные характеристики

Фактические примеры измерений показаны на рисунках (1) ~ (3).

Разница в температурной зависимости емкостных характеристик невелика.

至产品详细网页

О переключении MOSFET и его температурных характеристиках

О времени переключения MOSFET

После включения/выключения напряжения затвора МОП-транзистор включается/выключается. Это время задержки является временем переключения. Время переключения указано в Таблице 1. Вообще говоря, td(on)/tr/td(off)/tf записаны в спецификации.

Слкор определяет тип. значение спецификации основано на измеренном значении схемы на рисунке 2.

Таблица 1: Характеристики ПО МОП-транзисторов

Mark	Контент
tд (на)	Включите время задержки (VGS 10%→ВDS 90%)
tr	Время нарастания (VDS 90%→ВDS 10%)
tд (выключен)	Время задержки выключения (VGS 90%→ВDS 10%)
tf	время падения (VDS 10%→ВDS 90%)
ton	время открытия (tд (на) + тr)
tот	Время отключения (tд (выключен) + тf)

Температурные характеристики

Примеры измерений показаны на рисунках 3(1)~(4).

Время переключения незначительно увеличивается с повышением температуры, но увеличивается примерно на 10% при повышении температуры до 100°С, причем температурная зависимость характеристик переключения практически отсутствует.

至产品详细网页

Что касается В.GS (ая) MOSFET (пороговое значение)

О В.GS (ая) МОП-транзистора

Когда МОП-транзистор включен, напряжение, необходимое между GS (затвор, исток), называется VGS(th) (пороговое значение).

То есть, когда на входе подается напряжение выше предельного значения, МОП-транзистор включается.

Так какой же ток может пропустить МОП-транзистор, когда он находится во включенном состоянии? Для каждого компонента он записывается в графе «Электрические характеристики» спецификации.

Таблица 1 представляет собой пример столбца электрических характеристик спецификации. В этом случае, когда входной сигнал VDS=10 В, пороговое напряжение затвора ID(th), необходимое для прохождения тока 1 мА через ID, составляет от 1.0 В до 2.5 В.

至产品详细网页

ID-VGS характеристики и температурные характеристики

На рисунках 1 и 2 показаны реальные примеры измерения I.D-VGS характеристики и пороговые температурные характеристики.

Как показано на рисунке 1, для пропуска большей части тока требуется относительно большое напряжение на затворе.

Модели, перечисленные в Таблице 1, имеют в спецификациях предельное значение 2.5 В или меньше, но это продукты с питанием 4 В.

При использовании введите напряжение затвора, чтобы оно достаточно включилось.

Как показано на рисунке 2, предельное значение уменьшается с ростом температуры.

Наблюдая за изменением порогового напряжения, можно рассчитать температуру канала элемента.