MOSFET کی طفیلی اہلیت اور درجہ حرارت کی خصوصیات

MOSFET کی اہلیت

پاور MOSFET کی ساخت میں، جیسا کہ شکل 1 میں دکھایا گیا ہے، ایک طفیلی صلاحیت موجود ہے۔

طاقت MOSFET کی ساخت کے لحاظ سے، جیسا کہ شکل 1 میں دکھایا گیا ہے، ایک طفیلی گنجائش ہے۔ MOSFET کے G (گیٹ) ٹرمینل کو دوسرے الیکٹروڈز سے ایک آکسائیڈ فلم کے ذریعے موصل کیا جاتا ہے، اور DS (ڈرین، سورس) کے درمیان ایک PN جنکشن بنایا جاتا ہے تاکہ ایک بلٹ ان ڈائیوڈ ڈھانچہ بنایا جا سکے۔ Cgs، Cgd کی گنجائش کا تعین آکسائیڈ فلم کی گنجائش سے ہوتا ہے، اور Cds کا تعین بلٹ ان ڈائیوڈ کی جنکشن صلاحیت سے ہوتا ہے۔

عام طور پر، ٹیبل 1 میں Ciss/Coss/Crss کی تین اقسام MOSFET تفصیلات میں درج ہیں۔

جیسا کہ تصویر 2 میں دکھایا گیا ہے، اہلیت کی خصوصیات DS (ڈرین اور سورس) کے درمیان وولٹیج VDS پر منحصر ہے۔ VDS جتنا بڑا ہوگا، صلاحیت کی قدر اتنی ہی کم ہوگی۔

درجہ حرارت کی خصوصیات

پیمائش کی اصل مثالیں اعداد و شمار (1) ~ (3) میں دکھائی گئی ہیں۔

صلاحیت کی خصوصیات کے درجہ حرارت پر انحصار میں بہت کم فرق ہے۔

至产品详细网页

MOSFET سوئچنگ اور اس کے درجہ حرارت کی خصوصیات کے بارے میں

MOSFET سوئچنگ ٹائم کے بارے میں

گیٹ وولٹیج کے آن/آف ہونے کے بعد، MOSFET آن/آف ہے۔ یہ تاخیر کا وقت سوئچنگ کا وقت ہے۔ سوئچنگ کا وقت جیسا کہ جدول 1 میں دکھایا گیا ہے۔ عام طور پر، td(on)/tr/td(off)/tf تفصیلات میں درج ہیں۔

Slkor قسم کا تعین کرتا ہے۔ شکل 2 میں سرکٹ کی پیمائش شدہ قدر کی بنیاد پر وضاحت کی قدر۔

جدول 1: MOSFETs کی SW خصوصیات

نشان زد کریں	مواد
td(آن)	تاخیر کا وقت آن کریں۔ (VGS 10%→VDS 90٪)
tr	رائز ٹائم (VDS 90%→VDS 10٪)
tڈی (آف)	آف تاخیر کا وقت (VGS 90%→VDS 10٪)
tf	گرنے کا وقت (VDS 10%→VDS 90٪)
ton	افتتاحی وقت (td(آن) +tr)
tبند	آف ٹائم (tڈی (آف) +tf)

درجہ حرارت کی خصوصیات

پیمائش شدہ مثالیں شکل 3(1) ~ (4) میں دکھائی گئی ہیں۔

درجہ حرارت بڑھنے کے ساتھ ہی سوئچنگ کا وقت تھوڑا سا بڑھ جاتا ہے، لیکن جب درجہ حرارت 10°C تک بڑھ جاتا ہے تو یہ تقریباً 100% بڑھ جاتا ہے، اور سوئچنگ کی خصوصیات پر درجہ حرارت کا تقریباً کوئی انحصار نہیں ہوتا ہے۔

至产品详细网页

وی کے بارے میںGS (TH) MOSFET کی (حد کی قیمت)

وی کے بارے میںGS (TH) MOSFET کے

جب MOSFET آن ہوتا ہے، تو GS (گیٹ، سورس) کے درمیان درکار وولٹیج کو VGS(th) (تھریش ہولڈ ویلیو) کہا جاتا ہے۔

یعنی جب وولٹیج حد کی قدر سے اوپر ہے تو MOSFET آن ہو جاتا ہے۔

تو جب MOSFET آن حالت میں ہو تو کتنا A کرنٹ گزر سکتا ہے؟ ہر جزو کے لیے، یہ تفصیلات شیٹ کے برقی خصوصیات کے کالم میں درج کیا جاتا ہے۔

جدول 1 تفصیلات کے برقی خصوصیات کے کالم کی ایک مثال ہے۔ اس صورت میں، جب ان پٹ VDS=10V، 1mA کرنٹ کو ID سے گزرنے کے لیے درکار گیٹ تھریشولڈ وولٹیج ID(th) 1.0V سے 2.5V ہے۔

至产品详细网页

ID-VGS خصوصیات اور درجہ حرارت کی خصوصیات

اعداد و شمار 1 اور 2 I کی اصل پیمائش کی مثالیں دکھاتے ہیں۔D-VGS خصوصیات اور حد درجہ حرارت کی خصوصیات۔

جیسا کہ شکل 1 میں دکھایا گیا ہے، زیادہ تر کرنٹ گزرنے کے لیے، ایک نسبتاً بڑے گیٹ وولٹیج کی ضرورت ہوتی ہے۔

جدول 1 میں درج ماڈلز کی تصریحات میں حد قدر 2.5V یا اس سے کم ہے، لیکن وہ 4V سے چلنے والی مصنوعات ہیں۔

استعمال کرتے وقت، براہ کرم گیٹ وولٹیج داخل کریں تاکہ اسے کافی حد تک آن کیا جاسکے۔

جیسا کہ شکل 2 میں دکھایا گیا ہے، درجہ حرارت کے ساتھ حد قدر کم ہوتی ہے۔

تھریشولڈ وولٹیج کی تبدیلی کو دیکھ کر، عنصر کے چینل کے درجہ حرارت کا حساب لگایا جا سکتا ہے۔