หลังจากเข้าสู่ศตวรรษที่ 21 เทคโนโลยีสารสนเทศอิเล็กทรอนิกส์ได้กลายเป็นเทคโนโลยีที่สำคัญที่สุด และส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ถือเป็นรากฐานของการพัฒนาเทคโนโลยีสารสนเทศอิเล็กทรอนิกส์ เพื่อส่งเสริมการพัฒนาเทคโนโลยีสารสนเทศอิเล็กทรอนิกส์ต่อไป จำเป็นต้องปรับปรุงความน่าเชื่อถือของชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ ดังนั้นจึงจำเป็นต้องเข้าใจกลไกความล้มเหลว โหมด และเทคโนโลยีการวิเคราะห์ของชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
??1.ความหมายของการเป็นโมฆะ 

?ความล้มเหลวหมายถึงความล้มเหลวของชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ ส่วนประกอบที่สำคัญของระบบอิเล็กทรอนิกส์หรือวงจรอิเล็กทรอนิกส์ต่างๆ โดยทั่วไปแล้ว ส่วนประกอบจะต่างกันออกไป เมื่อต้องการส่วนประกอบเพิ่มเติม แสดงว่าอุปกรณ์มีความซับซ้อนมากขึ้น ไม่อย่างนั้นมันก็ต่ำ โดยทั่วไปความล้มเหลวของวงจรหมายถึงการสูญเสียฟังก์ชันที่ระบุของระบบวงจร

??2.การจำแนกประเภทของความล้มเหลว

??ตามมาตรฐานที่แตกต่างกัน การจำแนกประเภทของความล้มเหลวโดยทั่วไปจะมีวิธีการจำแนกดังต่อไปนี้ขึ้นอยู่กับสาเหตุของความล้มเหลว: ส่วนใหญ่แบ่งออกเป็นความล้มเหลวที่สำคัญ ความล้มเหลวในการใช้งานในทางที่ผิด ความล้มเหลวจากอุบัติเหตุ ความล้มเหลวตามธรรมชาติ และอื่นๆใช้ระดับความล้มเหลวเป็นมาตรฐาน โดยส่วนใหญ่จะแบ่งออกเป็นความล้มเหลวบางส่วนและความล้มเหลวทั้งหมดใช้โหมดความล้มเหลวเป็นมาตรฐาน: ส่วนใหญ่แบ่งออกเป็น non-function, Short Circui, Open Circuit ฯลฯขึ้นอยู่กับความรุนแรงของผลกระทบที่ตามมาของความล้มเหลว สามารถแบ่งออกเป็นความล้มเหลวระดับเล็กน้อย ความล้มเหลวระดับรุนแรง และความล้มเหลวร้ายแรงนอกเหนือจากที่กล่าวมาข้างต้น ยังมีมาตรฐานการจำแนกหลายประเภท เช่น โอกาสที่ล้มเหลว ความล้มเหลวที่แสดงออกภายนอก ฯลฯ ซึ่งจะไม่ได้อธิบายไว้ที่นี่

?? 3.กลไกความล้มเหลวของ 

?กลไกความล้มเหลวของชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ยังแบ่งประเภทได้หลายวิธี โดยปกติจะขึ้นอยู่กับสาเหตุ ซึ่งสามารถแบ่งออกเป็นกลไกความล้มเหลวดังต่อไปนี้

1 การเสื่อมสภาพของพื้นผิว: โซเดียมไอออนของส่วนประกอบต่างๆ เกิดการปนเปื้อน ซึ่งนำไปสู่การรั่วไหลของช่องสัญญาณ ความเสียหายของรังสี γ การคืบคลานของพื้นผิวหรือการพังทลาย ฯลฯ

2 การเสื่อมสภาพที่เกิดจากปัญหาการออกแบบ: หมายถึงปัญหาการออกแบบในวงจร เค้าโครง และโครงสร้างของส่วนประกอบเดียว

3 การย่อยสลายภายใน: หมายถึงกำลังไฟฟ้าเกินทันทีและการเสื่อมสภาพของประสิทธิภาพโครงสร้างที่เกิดจากผลการบล็อก CMOS การพังทลายทุติยภูมิ การปนเปื้อนของโลหะหนัก ความเสียหายจากรังสีนิวตรอน และปัญหาวัสดุ

④ ความเสียหายที่เกิดจากการใช้งานที่ไม่เหมาะสม: หมายถึงความเสียหายจากไฟกระชาก, ความเสียหายจากไฟฟ้าสถิต, ความเสียหายที่เกิดจากอุณหภูมิที่มากเกินไป, การทำงานผิดปกติที่เกิดจากสัญญาณรบกวน ฯลฯ

⑤ การเสื่อมสภาพของระบบการทำให้เป็นโลหะ: หมายถึงการเคลื่อนย้ายด้วยไฟฟ้าของอลูมิเนียม การกัดกร่อนของอลูมิเนียม ช่องว่างของอลูมิเนียม ฯลฯ ในชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์

⑥ การเสื่อมสภาพของบรรจุภัณฑ์: หมายถึงการกัดกร่อนและการรั่วไหลของอากาศที่ขาท่อหรือการลัดวงจรหรือไฟฟ้ารั่วที่เกิดจากวัตถุแปลกปลอมในเปลือก

??4.วิธีทั่วไปในการวิเคราะห์ความล้มเหลว

??มีเทคนิคมากมายในการวิเคราะห์ความล้มเหลวของชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ แต่เทคนิคที่ใช้กันทั่วไปมีดังนี้

4.1 วิธีการดึงออกและใส่ วิธีการปลั๊กอินหมายถึงการตรวจสอบกระบวนการของปลั๊กอินและปลั๊กอินของบอร์ดส่วนประกอบหรือบอร์ดปลั๊กอิน และการตัดสินว่าอินเทอร์เฟซการเชื่อมต่อปลั๊กอินเป็นสถานที่ที่เกิดข้อผิดพลาดหรือไม่ เป็นที่น่าสังเกตว่าเมื่อวิเคราะห์ความล้มเหลวโดยใช้วิธีดึงออกและแทรก จะมีสถานการณ์พิเศษในกระบวนการดึงออกและใส่บอร์ดส่วนประกอบหรือบอร์ดปลั๊กอินนั่นคือบางครั้งสถานที่ โดยที่สถานะเปลี่ยนแปลงไม่เพียงแต่อินเทอร์เฟซการเชื่อมต่อเท่านั้น แต่ยังรวมถึงส่วนอื่นๆ ด้วย ดังนั้นเมื่อใช้วิธีการดึงออกและแทรกเราควรใส่ใจกับทุกส่วนและการเปลี่ยนแปลงที่ละเอียดอ่อนเพื่อที่จะตัดสินได้อย่างถูกต้อง

4.2 การเลือกปฏิบัติทางประสาทสัมผัส การเลือกปฏิบัติทางประสาทสัมผัสเป็นวิธีการทราบอุณหภูมิและความแข็งของส่วนประกอบ กลิ่นจมูก และเสียงหู โดยการสังเกตรูปร่างของส่วนประกอบและการสัมผัสของมือ การเลือกปฏิบัติทางประสาทสัมผัสนั้นใช้งานง่ายและประหยัดเงิน แต่สิ่งที่สามารถแยกแยะได้นั้นจะถูกจำกัดโดยความสามารถทางประสาทสัมผัส

4.3 วิธีอคติของแหล่งจ่ายไฟ วิธีไบอัสของแหล่งจ่ายไฟหมายถึงการไบอัสแหล่งจ่ายไฟและแรงดันไฟฟ้าปกติ ทำให้อยู่ในสภาพผิดปกติ จากนั้นเผยให้เห็นจุดอ่อนหรือข้อบกพร่อง ซึ่งสามารถสะท้อนถึงชิ้นส่วนของส่วนประกอบและส่วนประกอบที่หรือใกล้จะเกิดความล้มเหลว โดยทั่วไปจะใช้วิธีนี้ในกรณีเกิดความล้มเหลวเนื่องจากชั่วโมงการทำงานที่ยาวนาน หรือการตัดสินเบื้องต้นว่าความผันผวนของโครงข่ายไฟฟ้าทำให้เกิดความล้มเหลว เป็นเรื่องที่ควรค่าแก่การเตือนว่าวิธีอคติของแหล่งจ่ายไฟนั้นมีการทำลายล้างในระดับหนึ่ง ก่อนที่จะใช้วิธีนี้ คุณต้องตรวจสอบค่าสัมประสิทธิ์การประกันหรือปัจจัยอื่นๆ และอย่าลืมใช้แบบไม่ได้ตั้งใจ

4.4 การเปลี่ยนอะไหล่ โดยการตรวจสอบส่วนประกอบหรือชิ้นส่วนที่สงสัยว่าจะถอดออกแล้วเปลี่ยนด้วยอะไหล่ที่ผ่านการรับรองแล้วทำการวิเคราะห์เปรียบเทียบปรากฏการณ์ข้อบกพร่อง เช่น ปรากฏการณ์ข้อบกพร่องหายไปหรือไม่ และสุดท้าย กำหนดว่าแหล่งกำเนิดข้อบกพร่อง อยู่ในขั้นตอนการรื้ออะไหล่ วิธีนี้เป็นวิธีการเปลี่ยนอะไหล่

วิธีการดังกล่าวข้างต้นมักใช้สำหรับการวิเคราะห์ความล้มเหลวของชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ นอกจากนี้ยังมีวิธีการวัดแบบคงที่และไดนามิกอีกด้วย วิธีการเพิ่มและลดอุณหภูมิ วิธีการวางตำแหน่งหยิก ฯลฯ 

??5.ความคิดเกี่ยวกับการวิเคราะห์ความล้มเหลว
??เพื่อวิเคราะห์ความล้มเหลวของชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ได้อย่างมีประสิทธิภาพ ต้องมีแนวคิดที่ชัดเจน การวิเคราะห์ความล้มเหลวของส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ทั่วไปส่วนใหญ่ดำเนินการทีละขั้นตอนตามแนวคิดนี้:

1. ตรวจสอบว่าไม่ถูกต้องหรือไม่

2 การกำหนดเป้าหมายสูงสุดของการวิเคราะห์ความล้มเหลว

3. เริ่มจากปรากฏการณ์ความล้มเหลว ระบุจุดที่น่าสงสัยทั้งหมดของตำแหน่งความล้มเหลว

(๔) จัดทำแผนขจัดข้อสงสัย วิเคราะห์ตำแหน่งความล้มเหลวทีละขั้นตอน

⑤ ลองจินตนาการและระบุสาเหตุที่เป็นไปได้ทั้งหมดของชิ้นส่วนที่เสียหาย

⑥ ทดสอบสมมติฐานโดยการทดลอง

⑦ เสนอและทบทวนแผนการป้องกันความล้มเหลว

⑧ ใช้ข้อเท็จจริงเพื่อทดสอบว่าแผนการป้องกันความล้มเหลวมีประสิทธิผลหรือไม่ทับทิมชื่อสัตว์เลี้ยงใช้แผนการป้องกันความล้มเหลวจริง ๆ [4]

??6.หลักการวิเคราะห์ความล้มเหลว

??การวิเคราะห์ความล้มเหลวของชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ควรเป็นไปตามหลักการที่เกี่ยวข้อง และหลักการที่ใช้กันทั่วไปบางประการมีดังนี้

6.1 หลักการประถมศึกษาก่อนมัธยมศึกษา โดยทั่วไป ฟังก์ชันหลักและฟังก์ชันรองจะถูกตัดสินตามระดับความล้มเหลวที่ส่งผลต่อฟังก์ชัน หลังจากกำหนดปัญหาหลักและปัญหารองแล้ว ให้แก้ไขปัญหาหลักก่อนแล้วจึงแก้ไขปัญหารอง

6.2 หลักการของโครงการก่อนดำเนินการ ในระหว่างการวิเคราะห์ความล้มเหลว นักวิเคราะห์จะต้องมีความสงบก่อน คิดวิธีแก้ปัญหาในใจก่อนดำเนินการ และอย่าดำเนินการแบบสุ่มสี่สุ่มห้า ซึ่งจะทำให้ส่วนประกอบขนาดใหญ่อื่นๆ ล้มเหลว

6.3 หลักการทั่วไปก่อนพิเศษ ตรวจสอบตำแหน่งที่มีความล้มเหลวบ่อยครั้งก่อน จากนั้นจึงตรวจสอบตำแหน่งที่มีความล้มเหลวน้อยกว่า6.4 หลักการของกระแสอ่อนก่อนกระแสแรง โดยทั่วไป เมื่อเผชิญกับความล้มเหลวของเครื่องจักรทั้งหมดหรือตัวอย่างที่ล้มเหลว สัญญาณอินพุต แหล่งจ่ายไฟ ฯลฯ ควรมีค่าตั้งแต่อ่อนไปจนถึงแรง ขึ้นอยู่กับสถานการณ์เฉพาะเมื่อทดสอบประสิทธิภาพหรือตัดสินตำแหน่งข้อบกพร่อง เป็นเรื่องที่น่าเตือนใจว่าการเปลี่ยนแปลงทั้งหมดจากอ่อนไปรุนแรงนั้น เราต้องสังเกตและบันทึกปรากฏการณ์ที่ผิดปกติอย่างใกล้ชิด นอกจากนี้ จำเป็นต้องป้องกันการสตาร์ทและปิดเครื่องกะทันหันที่เกิดจากพลังงานมากเกินไป ส่งผลให้เกิดไฟฟ้าช็อต ซึ่งจะรบกวนสถานะความล้มเหลวในที่สุด และเพิ่มความยากในการวิเคราะห์ความล้มเหลว [5]นอกจากนี้ ยังมีหลักการของความเรียบง่ายก่อนความซับซ้อน การรักษาความปลอดภัยก่อนเปิดเครื่อง มาโครก่อนไมโคร อุปกรณ์ต่อพ่วงก่อนโฮสต์ คงที่ก่อนไดนามิก ปิดเครื่องก่อนเปลี่ยน สาธารณะก่อนส่วนตัว ฯลฯ

??7.สรุป

??จากการวิจัยเทคโนโลยีการวิเคราะห์ความล้มเหลวของชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ เราสามารถทราบสาเหตุ โหมดความล้มเหลว กลไกความล้มเหลว และวิธีการวิเคราะห์ที่ใช้กันทั่วไปของชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์เป็นแหล่งรวมสินค้าอิเล็กทรอนิกส์ เพื่อให้มั่นใจถึงการทำงานปกติและเชื่อถือได้ของอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์หรือระบบอิเล็กทรอนิกส์ จะต้องมั่นใจในความน่าเชื่อถือของส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ ดังนั้นจึงจำเป็นต้องเชี่ยวชาญเทคโนโลยีการวิเคราะห์ความล้มเหลวของชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์

ระบบทดสอบการกระจายแสงด้วยกล้องจุลทรรศน์สำหรับการตรวจทางโลหะวิทยา

ระบบการทดสอบการกระจายความร้อนด้วยกล้องจุลทรรศน์สำหรับการตรวจสอบทางโลหะวิทยา

หมายเหตุ: บทความนี้ทำซ้ำจากอินเทอร์เน็ตเพื่อสนับสนุนการคุ้มครองสิทธิในทรัพย์สินทางปัญญา โปรดระบุแหล่งที่มาต้นฉบับและผู้แต่งเมื่อพิมพ์ซ้ำ หากมีการละเมิดใด ๆ โปรดติดต่อเราเพื่อลบออก.

โทรศัพท์บริษัท: +86-0755-83044319
แฟกซ์/แฟกซ์:+86-0755-83975897
อีเมล์: 1615456225@qq.com
QQ: 3518641314 ผู้จัดการหลี่
QQ: 332496225 ผู้จัดการชิว
ที่อยู่: ห้อง 809 บล็อก C อาคารเทคโนโลยี Zhantao เลขที่ 1079 Minzhi Avenue เขตหลงหัวใหม่ เซินเจิ้น