ข้อดีของเรา
- ทรานซิสเตอร์แบบ NPN+PNP สองตัวแยกอิสระในแพ็คเกจเดียว
- องค์ประกอบอิสระช่วยขจัดการแทรกแซงซึ่งกันและกัน
- ประหยัดพื้นที่บนแผงวงจรพิมพ์ (PCB) และค่าติดตั้งได้ถึง 50%
- ค่า hFE สูงเพื่อการขยายสัญญาณที่เสถียร
- แรงดันอิ่มตัวต่ำและการรั่วไหลต่ำ
- ชิปเซ็ต Mini SOT-363 เหมาะสำหรับวงจรที่มีความหนาแน่นสูง
- ช่วงอุณหภูมิกว้างสำหรับใช้ในอุตสาหกรรม
รายละเอียด
UMZ1N เป็นทรานซิสเตอร์คู่แบบระนาบอิพิแท็กเซียลซิลิคอนที่รวมทรานซิสเตอร์ NPN หนึ่งตัว (เทียบเท่า 2SC2412K) และทรานซิสเตอร์ PNP หนึ่งตัว (เทียบเท่า 2SA1037) ไว้ในแพ็คเกจ SOT-363 แบบติดตั้งบนพื้นผิวเพียงแพ็คเกจเดียว ทรานซิสเตอร์ทั้งสองทำงานอย่างอิสระโดยไม่มีการรบกวน ให้กำลังขยายสูง การรั่วไหลต่ำ และประสิทธิภาพที่เสถียรสำหรับวงจรควบคุมและขยายสัญญาณขนาดกะทัดรัด
คุณลักษณะเด่น
- ทรานซิสเตอร์คู่: NPN + PNP ใน SOT-363
- องค์ประกอบทรานซิสเตอร์อิสระ
- ประหยัดพื้นที่และคุ้มค่า
- VCBO = ±60V, VCEO = ±50V
- IC = ±150mA
- PC = 150 มิลลิวัตต์ต่อช่องสัญญาณ
- hFE: 120–560
- fT: สูงสุด 180MHz
- แรงดันไฟฟ้าอิ่มตัวต่ำ
- อุณหภูมิในการเชื่อมต่อ/จัดเก็บ: −55℃ ถึง +150℃
- เครื่องหมาย: Z1
การใช้งาน
- วงจรขยายสัญญาณขนาดกะทัดรัด
- อุปกรณ์สื่อสารแบบพกพา
- โมดูลอินเทอร์เฟซเสียงและเซ็นเซอร์
- อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภคที่มีความหนาแน่นสูง
- อุปกรณ์ขนาดเล็กที่ใช้พลังงานจากแบตเตอรี่
- การเปลี่ยนระดับตรรกะและการสลับ
- โมดูลควบคุมอุตสาหกรรมและ IoT