Nasze atuty
- Podwójne niezależne tranzystory NPN+PNP w jednej obudowie
- Niezależne elementy eliminują wzajemne zakłócenia
- Oszczędza 50% miejsca na płytce PCB i kosztów montażu
- Wysoki hFE zapewniający stabilne wzmocnienie
- Niskie napięcie nasycenia i niski upływ
- Miniaturowa obudowa SOT-363 idealna do obwodów o dużej gęstości
- Szeroki zakres temperatur do zastosowań przemysłowych
OPIS
UMZ1N to krzemowy, epitaksjalny, planarny, podwójny tranzystor, integrujący jeden tranzystor NPN (odpowiednik 2SC2412K) i jeden tranzystor PNP (odpowiednik 2SA1037) w pojedynczej obudowie SOT-363 do montażu powierzchniowego. Oba tranzystory pracują niezależnie, bez zakłóceń, zapewniając wysokie wzmocnienie, niski upływ prądu i stabilną pracę w kompaktowych układach sterowania i wzmacniania sygnału.
ROZWIĄZANIA
- Podwójny tranzystor: NPN + PNP w obudowie SOT-363
- Niezależne elementy tranzystorowe
- Oszczędność miejsca i kosztów
- VCBO = ±60 V, VCEO = ±50 V
- IC = ±150mA
- PC = 150 mW na kanał
- hFE: 120–560
- fT: do 180MHz
- Niskie napięcie nasycenia
- Temperatura połączenia/przechowywania: −55℃ do +150℃
- Oznaczenie: Z1
Zastosowania
- Kompaktowe układy wzmacniające sygnał
- Przenośne urządzenia komunikacyjne
- Moduły interfejsu audio i czujników
- Elektronika użytkowa o dużej gęstości
- Mały sprzęt zasilany bateryjnie
- Przesuwanie i przełączanie poziomów logicznych
- Moduły sterowania przemysłowego i IoT