我們的優勢
- 封裝內包含雙NPN+PNP獨立電晶體
- 獨立元素消除了相互幹擾
- 節省 50% 的 PCB 空間和安裝成本
- 高hFE可實現穩定擴增
- 低飽和電壓和低漏電流
- 迷你SOT-363封裝,非常適合高密度電路
- 工業用途溫度範圍廣
產品說明
UMZ1N 是一款矽外延平面雙電晶體,將一個 NPN 型電晶體(等效於 2SC2412K)和一個 PNP 型電晶體(等效於 2SA1037)整合在單一 SOT-363 表面貼裝封裝中。這兩個電晶體獨立運作,互不干擾,可為緊湊型訊號控制和放大電路提供高增益、低漏電流和穩定的性能。
特色
- 雙晶體管:NPN + PNP,SOT-363封裝
- 獨立電晶體元件
- 節省空間且經濟高效
- VCBO = ±60V,VCEO = ±50V
- IC = ±150mA
- PC = 每聲道 150mW
- hFE:120–560
- fT:最高可達 180MHz
- 低飽和電壓
- 結溫/儲存溫度:−55℃ 至 +150℃
- 標記:Z1
應用領域
- 緊湊型訊號放大電路
- 便攜式通訊設備
- 音訊和感測器介面模組
- 高密度消費性電子產品
- 電池驅動的小型設備
- 邏輯電平轉換和切換
- 工業控制和物聯網模組