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Transistor bipolar UMZ1N SOT-363

El UMZ1N es un transistor dual planar epitaxial de silicio que integra un NPN (equivalente al 2SC2412K) y un PNP (equivalente al 2SA1037) en un único encapsulado SOT-363 de montaje superficial. Los dos transistores funcionan de forma independiente sin interferencias, lo que proporciona alta ganancia, baja fuga y un rendimiento estable para circuitos compactos de control y amplificación de señales.

Nuestras ventajas


  • Transistores independientes duales NPN+PNP en un solo paquete.
  • Los elementos independientes eliminan la interferencia mutua.
  • Ahorra un 50 % de espacio en la placa de circuito impreso y de coste de montaje.
  • Alta hFE para una amplificación estable
  • Bajo voltaje de saturación y baja fuga
  • Mini SOT-363, ideal para circuitos de alta densidad.
  • Amplio rango de temperatura para uso industrial.

Mareas Ideales para Lecciones


El UMZ1N es un transistor dual planar epitaxial de silicio que integra un NPN (equivalente al 2SC2412K) y un PNP (equivalente al 2SA1037) en un único encapsulado SOT-363 de montaje superficial. Los dos transistores funcionan de forma independiente sin interferencias, lo que proporciona alta ganancia, baja fuga y un rendimiento estable para circuitos compactos de control y amplificación de señales.

CARACTERÍSTICAS


  • Transistor dual: NPN + PNP en encapsulado SOT-363
  • Elementos de transistor independientes
  • Ahorra espacio y es rentable.
  • VCBO = ±60V, VCEO = ±50V
  • IC = ±150 mA
  • PC = 150 mW por canal
  • hFE: 120–560
  • fT: hasta 180 MHz
  • Voltaje de baja saturación
  • Temperatura de unión/almacenamiento: −55℃ a +150℃
  • Marcado: Z1

Aplicaciones


  • Circuitos compactos de amplificación de señal
  • dispositivos de comunicación portátiles
  • Módulos de interfaz de audio y sensores
  • Electrónica de consumo de alta densidad
  • Equipos pequeños alimentados por batería
  • Cambio y conmutación de nivel lógico
  • Módulos de control industrial e IoT
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Título
Mareas Ideales para Lecciones
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