Nuestras ventajas
- Transistores independientes duales NPN+PNP en un solo paquete.
- Los elementos independientes eliminan la interferencia mutua.
- Ahorra un 50 % de espacio en la placa de circuito impreso y de coste de montaje.
- Alta hFE para una amplificación estable
- Bajo voltaje de saturación y baja fuga
- Mini SOT-363, ideal para circuitos de alta densidad.
- Amplio rango de temperatura para uso industrial.
Mareas Ideales para Lecciones
El UMZ1N es un transistor dual planar epitaxial de silicio que integra un NPN (equivalente al 2SC2412K) y un PNP (equivalente al 2SA1037) en un único encapsulado SOT-363 de montaje superficial. Los dos transistores funcionan de forma independiente sin interferencias, lo que proporciona alta ganancia, baja fuga y un rendimiento estable para circuitos compactos de control y amplificación de señales.
CARACTERÍSTICAS
- Transistor dual: NPN + PNP en encapsulado SOT-363
- Elementos de transistor independientes
- Ahorra espacio y es rentable.
- VCBO = ±60V, VCEO = ±50V
- IC = ±150 mA
- PC = 150 mW por canal
- hFE: 120–560
- fT: hasta 180 MHz
- Voltaje de baja saturación
- Temperatura de unión/almacenamiento: −55℃ a +150℃
- Marcado: Z1
Aplicaciones
- Circuitos compactos de amplificación de señal
- dispositivos de comunicación portátiles
- Módulos de interfaz de audio y sensores
- Electrónica de consumo de alta densidad
- Equipos pequeños alimentados por batería
- Cambio y conmutación de nivel lógico
- Módulos de control industrial e IoT