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UMZ1N バイポーラトランジスタ SOT-363

UMZ1Nは、1つのNPNトランジスタ(2SC2412K相当)と1つのPNPトランジスタ(2SA1037相当)を1つのSOT-363表面実装パッケージに集積したシリコンエピタキシャルプレーナーデュアルトランジスタです。2つのトランジスタは干渉することなく独立して動作するため、小型の信号制御および増幅回路において、高利得、低リーク電流、安定した性能を実現します。

当社のメリット


  • 1つのパッケージに独立したデュアルNPN+PNPトランジスタを搭載
  • 独立した要素が相互干渉を排除する
  • 基板スペースと実装コストを50%削減
  • 安定した増幅のための高いhFE
  • 低飽和電圧&低リーク
  • 高密度回路に最適なミニSOT-363
  • 工業用途に適した広い温度範囲

詳細説明


UMZ1Nは、1つのNPNトランジスタ(2SC2412K相当)と1つのPNPトランジスタ(2SA1037相当)を1つのSOT-363表面実装パッケージに集積したシリコンエピタキシャルプレーナーデュアルトランジスタです。2つのトランジスタは干渉することなく独立して動作するため、小型の信号制御および増幅回路において、高利得、低リーク電流、安定した性能を実現します。

マスタープランの特徴


  • デュアルトランジスタ:NPN + PNP(SOT-363パッケージ)
  • 独立したトランジスタ素子
  • 省スペースでコスト効率が良い
  • VCBO = ±60V、VCEO = ±50V
  • IC = ±150mA
  • PC = チャンネルあたり150mW
  • hFE: 120–560
  • fT: 最大180MHz
  • 低飽和電圧
  • 接合部/保管温度:-55℃~+150℃
  • マーキング:Z1

用途


  • 小型信号増幅回路
  • 携帯通信機器
  • オーディオおよびセンサーインターフェースモジュール
  • 高密度家電製品
  • バッテリー駆動の小型機器
  • 論理レベルのシフトとスイッチング
  • 産業用制御およびIoTモジュール
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詳細説明
UMZ1N SOT-363​.pdf
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