Nossas Vantagens
- Transistores independentes NPN+PNP duplos em um único encapsulamento.
- Elementos independentes eliminam a interferência mútua.
- Economiza 50% de espaço na placa de circuito impresso e custos de montagem.
- Alto valor de hFE para amplificação estável
- Baixa tensão de saturação e baixa corrente de fuga.
- Mini SOT-363 ideal para circuitos de alta densidade
- Ampla faixa de temperatura para uso industrial.
Descrição
O UMZ1N é um transistor duplo planar epitaxial de silício que integra um NPN (equivalente ao 2SC2412K) e um PNP (equivalente ao 2SA1037) em um único encapsulamento SOT-363 para montagem em superfície. Os dois transistores funcionam independentemente, sem interferência, proporcionando alto ganho, baixa corrente de fuga e desempenho estável para circuitos compactos de controle e amplificação de sinal.
CARATERÍSTICAS
- Transistor duplo: NPN + PNP em SOT-363
- Elementos de transistor independentes
- Compacto e econômico
- VCBO = ±60V, VCEO = ±50V
- IC = ±150mA
- PC = 150mW por canal
- hFE: 120–560
- fT: até 180 MHz
- Baixa tensão de saturação
- Temperatura de junção/armazenamento: −55℃ a +150℃
- Marcação: Z1
Aplicações
- Circuitos compactos de amplificação de sinal
- Dispositivos de comunicação portáteis
- Módulos de interface de áudio e sensores
- Eletrônicos de consumo de alta densidade
- Equipamentos pequenos alimentados por bateria
- Mudança e comutação de níveis lógicos
- Módulos de controle industrial e IoT