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Transistor bipolar UMZ1N SOT-363

O UMZ1N é um transistor duplo planar epitaxial de silício que integra um NPN (equivalente ao 2SC2412K) e um PNP (equivalente ao 2SA1037) em um único encapsulamento SOT-363 para montagem em superfície. Os dois transistores funcionam independentemente, sem interferência, proporcionando alto ganho, baixa corrente de fuga e desempenho estável para circuitos compactos de controle e amplificação de sinal.

Nossas Vantagens


  • Transistores independentes NPN+PNP duplos em um único encapsulamento.
  • Elementos independentes eliminam a interferência mútua.
  • Economiza 50% de espaço na placa de circuito impresso e custos de montagem.
  • Alto valor de hFE para amplificação estável
  • Baixa tensão de saturação e baixa corrente de fuga.
  • Mini SOT-363 ideal para circuitos de alta densidade
  • Ampla faixa de temperatura para uso industrial.

Descrição


O UMZ1N é um transistor duplo planar epitaxial de silício que integra um NPN (equivalente ao 2SC2412K) e um PNP (equivalente ao 2SA1037) em um único encapsulamento SOT-363 para montagem em superfície. Os dois transistores funcionam independentemente, sem interferência, proporcionando alto ganho, baixa corrente de fuga e desempenho estável para circuitos compactos de controle e amplificação de sinal.

CARATERÍSTICAS


  • Transistor duplo: NPN + PNP em SOT-363
  • Elementos de transistor independentes
  • Compacto e econômico
  • VCBO = ±60V, VCEO = ±50V
  • IC = ±150mA
  • PC = 150mW por canal
  • hFE: 120–560
  • fT: até 180 MHz
  • Baixa tensão de saturação
  • Temperatura de junção/armazenamento: −55℃ a +150℃
  • Marcação: Z1

Aplicações


  • Circuitos compactos de amplificação de sinal
  • Dispositivos de comunicação portáteis
  • Módulos de interface de áudio e sensores
  • Eletrônicos de consumo de alta densidade
  • Equipamentos pequenos alimentados por bateria
  • Mudança e comutação de níveis lógicos
  • Módulos de controle industrial e IoT
Nome
Título
Descrição
UMZ1N SOT-363​.pdf
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