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UMZ1N 바이폴라 트랜지스터 SOT-363
UMZ1N은 실리콘 에피택셜 평면형 이중 트랜지스터로, 하나의 NPN 트랜지스터(2SC2412K와 동일)와 하나의 PNP 트랜지스터(2SA1037과 동일)가 하나의 SOT-363 표면 실장 패키지에 통합되어 있습니다. 두 트랜지스터는 서로 간섭 없이 독립적으로 동작하여 소형 신호 제어 및 증폭 회로에 높은 이득, 낮은 누설 전류 및 안정적인 성능을 제공합니다.
우리의 장점
- 하나의 패키지에 NPN+PNP 트랜지스터 두 개가 독립적으로 내장되어 있습니다.
- 독립적인 요소들은 상호 간섭을 제거합니다.
- PCB 공간 및 장착 비용을 50% 절감합니다.
- 안정적인 증폭을 위한 높은 hFE
- 낮은 포화 전압 및 낮은 누설 전류
- 미니 SOT-363은 고밀도 회로에 이상적입니다.
- 산업용으로 적합한 넓은 온도 범위
기술설명
UMZ1N은 실리콘 에피택셜 평면형 이중 트랜지스터로, 하나의 NPN 트랜지스터(2SC2412K와 동일)와 하나의 PNP 트랜지스터(2SA1037과 동일)가 하나의 SOT-363 표면 실장 패키지에 통합되어 있습니다. 두 트랜지스터는 서로 간섭 없이 독립적으로 동작하여 소형 신호 제어 및 증폭 회로에 높은 이득, 낮은 누설 전류 및 안정적인 성능을 제공합니다.
특징
- 이중 트랜지스터: SOT-363 패키지의 NPN + PNP
- 독립 트랜지스터 소자
- 공간 절약형 및 비용 효율적
- VCBO = ±60V, VCEO = ±50V
- IC = ±150mA
- PC = 채널당 150mW
- hFE: 120–560
- fT: 최대 180MHz
- 낮은 포화 전압
- 접합/보관 온도: -55℃ ~ +150℃
- 표시: Z1
어플리케이션
- 소형 신호 증폭 회로
- 휴대용 통신 장치
- 오디오 및 센서 인터페이스 모듈
- 고밀도 소비자 전자제품
- 배터리 구동식 소형 장비
- 논리 레벨 시프팅 및 전환
- 산업 제어 및 IoT 모듈
이름
Title
기술설명
데이터시트
고객 지원
13001 NPN 바이폴라 트랜지스터 SOT-23
브랜드: slkor， VCEO(V)： 400V PD(W)(PD(W))： 750mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 8MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 200mA
13001S NPN 바이폴라 트랜지스터 TO-92
브랜드: slkor，
2N2222A NPN 바이폴라 트랜지스터 TO-92
브랜드: slkor，
2N3904 NPN BJT 트랜지스터 TO-92
브랜드: slkor，
2N3906 NPN 바이폴라 트랜지스터 TO-92
브랜드: slkor，
2N5401 PNP 바이폴라 트랜지스터 TO-92
브랜드: slkor， VCEO(V)： 150V PD(W)(PD(W))： 625mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 300MHz Package(Package)： TO-92 IC(A)(IC(A))： 600mA
2N5551 NPN 바이폴라 트랜지스터 TO-92
브랜드: slkor， VCEO(V)： 160V PD(W)(PD(W))： 625mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 200mV fT(MHz)(fT(MHz))： 300MHz Package(Package)： TO-92 IC(A)(IC(A))： 600mA
2SA1015-B PNP 바이폴라 트랜지스터 TO-92
브랜드: slkor，
2SA1037-R PNP 바이폴라 트랜지스터 SOT-23
브랜드: slkor，
2SA1162-Y PNP 바이폴라 트랜지스터
브랜드: slkor，
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKOR's product lines include discrete devices, etc., diodes, transistors, power devices; and integrated circuit chips, etc., linear regulators, DC/ DC chips, interface chips, Hall sensors, ADCs, and BMS... We have years of accumulated technology on dedicated semiconductor.
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