Sản phẩm
Sản phẩm
Transistor lưỡng cực UMZ1N SOT-363

UMZ1N là một transistor kép phẳng silicon epitaxy tích hợp một transistor NPN (tương đương với 2SC2412K) và một transistor PNP (tương đương với 2SA1037) trong một gói gắn bề mặt SOT-363 duy nhất. Hai transistor hoạt động độc lập mà không gây nhiễu, cung cấp độ khuếch đại cao, rò rỉ thấp và hiệu suất ổn định cho các mạch điều khiển và khuếch đại tín hiệu nhỏ gọn.

Ưu điểm của chúng tôi


  • Hai transistor NPN+PNP độc lập trong cùng một gói.
  • Các phần tử độc lập loại bỏ sự can thiệp lẫn nhau
  • Tiết kiệm 50% diện tích mạch in và chi phí lắp đặt.
  • Hệ số hFE cao giúp khuếch đại ổn định.
  • Điện áp bão hòa thấp và rò rỉ thấp
  • Mini SOT-363 lý tưởng cho các mạch có mật độ cao.
  • Phạm vi nhiệt độ rộng, thích hợp cho sử dụng công nghiệp.

Mô tả Chi tiết


UMZ1N là một transistor kép phẳng silicon epitaxy tích hợp một transistor NPN (tương đương với 2SC2412K) và một transistor PNP (tương đương với 2SA1037) trong một gói gắn bề mặt SOT-363 duy nhất. Hai transistor hoạt động độc lập mà không gây nhiễu, cung cấp độ khuếch đại cao, rò rỉ thấp và hiệu suất ổn định cho các mạch điều khiển và khuếch đại tín hiệu nhỏ gọn.

Tính năng nổi bật:


  • Transistor kép: NPN + PNP trong SOT-363
  • Các phần tử transistor độc lập
  • Tiết kiệm không gian và tiết kiệm chi phí
  • VCBO = ±60V, VCEO = ±50V
  • IC = ±150mA
  • PC = 150mW mỗi kênh
  • hFE: 120–560
  • fT: lên đến 180MHz
  • Điện áp bão hòa thấp
  • Nhiệt độ tiếp giáp/lưu trữ: −55℃ đến +150℃
  • Ký hiệu: Z1

Ứng dụng


  • Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ gọn
  • Thiết bị liên lạc di động
  • Mô-đun giao diện âm thanh và cảm biến
  • Thiết bị điện tử tiêu dùng mật độ cao
  • Thiết bị nhỏ chạy bằng pin
  • Chuyển mạch và dịch chuyển mức logic
  • Mô-đun điều khiển công nghiệp và IoT
Họ tên
Yêu sách
Mô tả Chi tiết
UMZ1N SOT-363​.pdf
-
Bảng dữliệu
Trợ giúp
whatsapp

Đường dây nóng dịch vụ

tel: +86 755 83044319

WhatsApp

Whatsapp:+8618073002950