Onze voordelen
- Dubbele onafhankelijke NPN- en PNP-transistoren in één behuizing.
- Onafhankelijke elementen elimineren wederzijdse interferentie.
- Bespaart 50% op printplaatruimte en montagekosten.
- Hoge hFE voor stabiele versterking
- Lage verzadigingsspanning en lage lekstroom
- Mini SOT-363 is ideaal voor circuits met een hoge componentdichtheid.
- Breed temperatuurbereik voor industrieel gebruik
Beschrijving
UMZ1N is een silicium epitaxiale planaire dubbele transistor die één NPN-transistor (equivalent aan 2SC2412K) en één PNP-transistor (equivalent aan 2SA1037) integreert in één enkele SOT-363-behuizing voor oppervlaktemontage. De twee transistors werken onafhankelijk van elkaar en zonder interferentie, wat zorgt voor een hoge versterking, lage lekstroom en stabiele prestaties voor compacte signaalbesturings- en versterkingscircuits.
KENMERKEN
- Dubbele transistor: NPN + PNP in SOT-363
- Onafhankelijke transistorelementen
- Ruimtebesparend en kosteneffectief
- VCBO = ±60V, VCEO = ±50V
- IC = ±150mA
- PC = 150 mW per kanaal
- hFE: 120–560
- fT: tot 180 MHz
- Lage verzadigingsspanning
- Junctie-/opslagtemperatuur: −55℃ tot +150℃
- Markering: Z1
Toepassingen
- Compacte signaalversterkingscircuits
- Draagbare communicatieapparaten
- Audio- en sensorinterfacemodules
- Consumentenelektronica met hoge dichtheid
- Batterijgevoede kleine apparatuur
- Logische niveauverschuiving en -schakeling
- Industriële besturings- en IoT-modules