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Transistor bipolaire UMZ1N SOT-363
L'UMZ1N est un transistor double planaire épitaxié en silicium intégrant un transistor NPN (équivalent au 2SC2412K) et un transistor PNP (équivalent au 2SA1037) dans un seul boîtier CMS SOT-363. Les deux transistors fonctionnent indépendamment, sans interférence, offrant un gain élevé, un faible courant de fuite et une grande stabilité pour les circuits compacts de commande et d'amplification de signaux.
Nos avantages
- Deux transistors indépendants NPN+PNP dans un seul boîtier
- Les éléments indépendants éliminent les interférences mutuelles
- Permet d'économiser 50 % d'espace sur le circuit imprimé et de réduire les coûts de montage.
- hFE élevé pour une amplification stable
- Faible tension de saturation et faible courant de fuite
- Boîtier Mini SOT-363 idéal pour les circuits haute densité
- Large plage de températures pour une utilisation industrielle
Description
L'UMZ1N est un transistor double planaire épitaxié en silicium intégrant un transistor NPN (équivalent au 2SC2412K) et un transistor PNP (équivalent au 2SA1037) dans un seul boîtier CMS SOT-363. Les deux transistors fonctionnent indépendamment, sans interférence, offrant un gain élevé, un faible courant de fuite et une grande stabilité pour les circuits compacts de commande et d'amplification de signaux.
Fonctionnalités
- Double transistor : NPN + PNP en boîtier SOT-363
- Éléments transistors indépendants
- Gain de place et économique
- VCBO = ±60 V, VCEO = ±50 V
- IC = ±150 mA
- PC = 150 mW par canal
- hFE : 120–560
- fT : jusqu'à 180 MHz
- Basse tension de saturation
- Température de jonction/stockage : −55℃ à +150℃
- Marquage : Z1
Applications
- circuits d'amplification de signal compacts
- Appareils de communication portables
- Modules d'interface audio et de capteurs
- Électronique grand public haute densité
- petits équipements alimentés par batterie
- Changement et commutation de niveau logique
- Modules de contrôle industriel et IoT
Nom
Objet
Description
Fiche technique
Assistance
13001 Transistor bipolaire NPN SOT-23
Marque: slkor， VCEO(V)： 400V PD(W)(PD(W))： 750mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 8MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 200mA
2SC3357RF
Marque: slkor，
2SC3585R45
Marque: slkor，
2SC4228R45
Marque: slkor，
BCX52-16 Transistors de puissance moyenne 60 V, 1 A PNP SOT-89
Marque: slkor， VCEO(V)： 60V PD(W)(PD(W))： 500mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： null- Package(Package)： SOT-89 IC(A)(IC(A))： 1A
MMBT1616AK NPN Transistor bipolaire SOT-23
Marque: slkor，
MMBT2222A
Marque: slkor， VCEO(V)： 40V PD(W)(PD(W))： 225mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 1V fT(MHz)(fT(MHz))： 300MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 600mA
MMBT2907 Transistor bipolaire PNP SOT-23
Marque: slkor，
MMBT3904 Transistor bipolaire NPN SOT-23
Marque: slkor， VCEO(V)： 40V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 300mV fT(MHz)(fT(MHz))： 300MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 200mA
MMBT4401 Transistor bipolaire NPN SOT-23
Marque: slkor，
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKOR's product lines include discrete devices, etc., diodes, transistors, power devices; and integrated circuit chips, etc., linear regulators, DC/ DC chips, interface chips, Hall sensors, ADCs, and BMS... We have years of accumulated technology on dedicated semiconductor.
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