Unsere Vorteile
- Zwei unabhängige NPN+PNP-Transistoren in einem Gehäuse
- Unabhängige Elemente eliminieren gegenseitige Störungen.
- Spart 50 % Platinenplatz und Montagekosten
- Hoher hFE-Wert für stabile Amplifikation
- Niedrige Sättigungsspannung und geringe Leckströme
- Mini SOT-363, ideal für hochdichte Schaltungen
- Breiter Temperaturbereich für industrielle Anwendungen
Beschreibung
Der UMZ1N ist ein planarer Silizium-Epitaxial-Doppeltransistor, der einen NPN-Transistor (entspricht 2SC2412K) und einen PNP-Transistor (entspricht 2SA1037) in einem einzigen SOT-363-Gehäuse integriert. Die beiden Transistoren arbeiten unabhängig voneinander und störungsfrei und bieten so hohe Verstärkung, geringe Leckströme und stabile Leistung für kompakte Signalsteuerungs- und Verstärkungsschaltungen.
Funktionen
- Doppeltransistor: NPN + PNP im SOT-363-Gehäuse
- Unabhängige Transistorelemente
- Platzsparend und kostengünstig
- VCBO = ±60 V, VCEO = ±50 V
- IC = ±150 mA
- PC = 150 mW pro Kanal
- hFE: 120–560
- fT: bis zu 180 MHz
- Niedrige Sättigungsspannung
- Sperrschicht-/Lagertemperatur: −55℃ bis +150℃
- Kennzeichnung: Z1
Anwendungen
- Kompakte Signalverstärkungsschaltungen
- Tragbare Kommunikationsgeräte
- Audio- und Sensorschnittstellenmodule
- Hochleistungsfähige Unterhaltungselektronik
- Batteriebetriebene Kleingeräte
- Logikpegelverschiebung und -umschaltung
- Industrielle Steuerungs- und IoT-Module