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Transistor bipolare UMZ1N SOT-363
UMZ1N è un doppio transistor planare epitassiale al silicio che integra un NPN (equivalente al 2SC2412K) e un PNP (equivalente al 2SA1037) in un singolo package SOT-363 per montaggio superficiale. I due transistor funzionano in modo indipendente senza interferenze, offrendo un elevato guadagno, una bassa corrente di dispersione e prestazioni stabili per circuiti compatti di controllo e amplificazione del segnale.
I nostri vantaggi
- Transistor NPN+PNP indipendenti doppi in un unico contenitore.
- Gli elementi indipendenti eliminano le interferenze reciproche
- Consente un risparmio del 50% di spazio sul PCB e di costi di montaggio.
- Elevato valore di hFE per un'amplificazione stabile.
- Bassa tensione di saturazione e bassa corrente di dispersione
- Mini SOT-363, ideale per circuiti ad alta densità.
- Ampio intervallo di temperatura per uso industriale
Descrizione
UMZ1N è un doppio transistor planare epitassiale al silicio che integra un NPN (equivalente al 2SC2412K) e un PNP (equivalente al 2SA1037) in un singolo package SOT-363 per montaggio superficiale. I due transistor funzionano in modo indipendente senza interferenze, offrendo un elevato guadagno, una bassa corrente di dispersione e prestazioni stabili per circuiti compatti di controllo e amplificazione del segnale.
CARATTERISTICHE
- Transistor doppio: NPN + PNP in SOT-363
- elementi transistor indipendenti
- Risparmio di spazio e convenienza economica
- VCBO = ±60V, VCEO = ±50V
- IC = ±150mA
- PC = 150 mW per canale
- hFE: 120–560
- fT: fino a 180 MHz
- Bassa tensione di saturazione
- Temperatura di giunzione/immagazzinamento: da −55℃ a +150℃
- Marcatura: Z1
Applicazioni
- Circuiti compatti di amplificazione del segnale
- dispositivi di comunicazione portatili
- Moduli di interfaccia audio e sensori
- elettronica di consumo ad alta densità
- piccole apparecchiature alimentate a batteria
- Traslazione e commutazione del livello logico
- Moduli per il controllo industriale e l'IoT
Nome
Titolo
Descrizione
Datasheet
Assistenza
13001 Transistor bipolare NPN SOT-23
Brand: slkor， VCEO(V)： 400V PD(W)(PD(W))： 750mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 8MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 200mA
13001S Transistor bipolare NPN TO-92
Brand: slkor，
2SA1015-B Transistor bipolare PNP TO-92
Brand: slkor，
2SA1037-R Transistor bipolare PNP SOT-23
Brand: slkor，
2SA1661-Y Transistor bipolare PNP SOT-89
Brand: slkor，
2SB1261 Transistor bipolare PNP
Brand: slkor，
2SC1623 Transistor bipolare NPN SOT-23
Brand: slkor，
2SC1815 Transistor planare epitassiale al silicio TO-92
Brand: slkor， VCEO(V)： 50V PD(W)(PD(W))： 400mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 250mV fT(MHz)(fT(MHz))： 80MHz Package(Package)： TO-92 IC(A)(IC(A))： 150mA
2SC2078 Transistor bipolare NPN TO-220
Brand: slkor，
2SC2712-Y Transistor bipolare NPN SOT-23
Brand: slkor， VCEO(V)： 50V PD(W)(PD(W))： 150mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 250mV fT(MHz)(fT(MHz))： 80MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 150mA
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKOR's product lines include discrete devices, etc., diodes, transistors, power devices; and integrated circuit chips, etc., linear regulators, DC/ DC chips, interface chips, Hall sensors, ADCs, and BMS... We have years of accumulated technology on dedicated semiconductor.
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