Наши преимущества
- Два независимых NPN+PNP транзистора в одном корпусе
- Независимые элементы исключают взаимные помехи.
- Экономия 50% места на печатной плате и снижение затрат на монтаж.
- Высокий коэффициент усиления hFE для стабильного усиления
- Низкое напряжение насыщения и низкий ток утечки
- Миниатюрный корпус SOT-363 идеально подходит для схем высокой плотности.
- Широкий диапазон температур для промышленного использования
Описание
UMZ1N — это кремниевый эпитаксиальный планарный двухтранзисторный модуль, объединяющий один NPN-транзистор (эквивалент 2SC2412K) и один PNP-транзистор (эквивалент 2SA1037) в одном корпусе для поверхностного монтажа SOT-363. Два транзистора работают независимо друг от друга без помех, обеспечивая высокое усиление, низкий ток утечки и стабильную работу для компактных схем управления сигналом и усиления.
ФУНКЦИИ И ОСОБЕННОСТИ
- Двухтранзисторная система: NPN + PNP в корпусе SOT-363
- Независимые транзисторные элементы
- Экономичный и компактный.
- VCBO = ±60 В, VCEO = ±50 В
- IC = ±150 мА
- ПК = 150 мВт на канал
- hFE: 120–560
- fT: до 180 МГц
- Низкое напряжение насыщения
- Температура перехода/хранения: от −55℃ до +150℃
- Маркировка: Z1
Области применения
- Компактные схемы усиления сигнала
- Портативные устройства связи
- Модули аудио- и сенсорного интерфейса
- Бытовая электроника высокой плотности
- Малогабаритное оборудование с питанием от батареи
- Сдвиг и переключение логических уровней
- Модули промышленного управления и Интернета вещей