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氮化镓（GaN）器件的结构和制造工艺
2023-09-09
186
由于外延结构的差异，氮化镓（GaN）功率器件和硅基功率器件的特性存在根本性差异。本文从外延结构的角度对GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）和硅基金属氧化物半导体（MOS）晶体管进行了全面比较。此外，本文还比较了增强型和耗尽型GaN HEMT结构，总结了结构差异所决定的特性。同时，本文还描述了GaN功率器件的外延工艺和制造工艺，以加深对GaN功率器件技术的理解。基于对GaN功率器件结构和工艺的理解，本文对不同半导体材料以及采用不同衬底材料的GaN HEMT的特性进行了比较分析。
氮化镓（GaN）器件的结构和制造工艺
2023-09-09
172
由于外延结构的差异，氮化镓（GaN）功率器件和硅基功率器件的特性存在根本性差异。本文从外延结构的角度对GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）和硅基金属氧化物半导体（MOS）晶体管进行了全面比较。此外，本文还比较了增强型和耗尽型GaN HEMT结构，总结了结构差异所决定的特性。同时，本文还描述了GaN功率器件的外延工艺和制造工艺，以加深对GaN功率器件技术的理解。基于对GaN功率器件结构和工艺的理解，本文对不同半导体材料以及采用不同衬底材料的GaN HEMT的特性进行了比较分析。
功率模块（IPM）、IGBT 和汽车功率器件
2023-09-11
172
功率半导体器件在现代电源控制和驱动系统中发挥着重要作用。IGBT模块和IPM模块是这些系统中最常用的两种器件类型。它们可用于控制大功率负载、驱动电机等应用。然而，它们的内部结构和功能有所不同。那么，IPM和IGBT模块究竟指的是什么呢？让我们深入探讨它们之间的区别。
功率模块（IPM）、IGBT 和汽车功率器件
2023-09-11
161
功率半导体器件在现代电源控制和驱动系统中发挥着重要作用。IGBT模块和IPM模块是这些系统中最常用的两种器件类型。它们可用于控制大功率负载、驱动电机等应用。然而，它们的内部结构和功能有所不同。那么，IPM和IGBT模块究竟指的是什么呢？让我们深入探讨它们之间的区别。
功率模块（IPM）、IGBT 和汽车功率器件
2023-09-11
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功率半导体器件在现代电源控制和驱动系统中发挥着重要作用。IGBT模块和IPM模块是这些系统中最常用的两种器件类型。它们可用于控制大功率负载、驱动电机等应用。然而，它们的内部结构和功能有所不同。那么，IPM和IGBT模块究竟指的是什么呢？让我们深入探讨它们之间的区别。
蚀刻工艺的选择性和成本控制
2023-09-12
167
等离子体蚀刻可能是半导体制造中最关键的工艺，也可能是所有晶圆制造工艺中最复杂的操作之一，仅次于光刻。近一半的晶圆制造步骤依靠等离子体（一种高能电离气体）来执行其任务。
蚀刻工艺的选择性和成本控制
2023-09-12
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等离子体蚀刻可能是半导体制造中最关键的工艺，也可能是所有晶圆制造工艺中最复杂的操作之一，仅次于光刻。近一半的晶圆制造步骤依靠等离子体（一种高能电离气体）来执行其任务。
蚀刻工艺的选择性和成本控制
2023-09-12
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等离子体蚀刻可能是半导体制造中最关键的工艺，也可能是所有晶圆制造工艺中最复杂的操作之一，仅次于光刻。近一半的晶圆制造步骤依靠等离子体（一种高能电离气体）来执行其任务。
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当碳化硅（SiC）发展到极致时，有哪些选择和未来前景？
2023-09-15
169
全球碳化硅（SiC）市场的迅猛发展无疑吸引了众多关注。早在2017年，功率半导体应用领域从硅向碳化硅的过渡就已开始，特斯拉Model 3车型采用了碳化硅芯片。2019年，芯片制造商Wolfspeed选择在纽约州尤蒂卡附近的纳米中心（Nanocenter）建造美国首座200毫米碳化硅工厂。该工厂于2022年4月竣工。此后，美国的碳化硅淘金热演变为全球投资热潮，其主要驱动力是日益增长的电动汽车需求。碳化硅显然是未来半导体的关键技术，但随着它进入主流功率电子市场，是否会面临迅速商品化的风险？在本文中，ATREG 的创始人兼首席执行官 Stephen Rothrock、Yole Group 的总裁兼创始人 Jean-Christophe Eloy 以及 Yole Intelligence 的高级技术和市场分析师 Poshun Chiu 概述了全球 SiC 市场，并预测了这项革命性技术的未来发展。
当碳化硅（SiC）发展到极致时，有哪些选择和未来前景？
2023-09-15
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全球碳化硅（SiC）市场的显着崛起无疑引起了人们的关注。早在 2017 年，功率半导体应用从硅到 SiC 的过渡就开始于特斯拉 Model 3 中安装 SiC。2019 年，芯片制造商 Wolfspeed 选择纽约州尤蒂卡附近的 Nanocenter 工厂，建设全球首个 200mm SiC 工厂在美国。工厂于2022年XNUMX月竣工。
一块芯片能创造多少就业机会？
2023-09-23
168
富士康、苹果、腾讯、字节跳动、阿里巴巴，这些知名科技巨头无疑是人们所熟悉的。然而，除了名气之外，他们还有一个共同的特点，那就是创造了数以百万计的就业机会。
日本半导体：微型晶圆厂（下）
2023-09-25
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日本半导体企业是否真的因为日本企业管理不善和政府政策不力等因素，而远远落后于其他国家，尤其是以韩国半导体产业为代表的其他国家？回顾历史，日本半导体产业的确曾经主导全球市场。1986年，也就是37年前，全球半导体销售额排名前三的分别是NEC、日立和东芝。此外，富士通、松下和三菱电机等公司也表现出色，使日本成为全球半导体产业当之无愧的领导者。
光刻技术：微纳米世界的奇妙魔法
2023-10-08
157
在我们身处的现代科技世界中，微型电子芯片已成为我们日常生活中不可或缺的一部分。无论是智能手机、电脑还是各种电子设备，其内部都隐藏着体积虽小却功能强大的电子元件，这些元件在半导体制造中扮演着至关重要的角色。然而，制造这些微小而复杂的电子元件需要一种高度精密的工艺——光刻技术。光刻技术或许对大多数人来说并不熟悉，但它却是现代科技和电子产业的重要支柱。它是一种复杂而精密的工艺，用于将微观电路图案精确地转移到半导体材料上，从而制造出功能强大的微处理器、存储芯片、传感器和其他半导体器件。此外，光刻技术在光子学、光电子学、纳米技术、生物医学等诸多领域也发挥着关键作用。本文将深入探讨光刻技术的核心概念、历史发展、技术进步、应用领域和未来趋势。我们将发现，光刻技术不仅仅是一种制造技术，它更是推动我们现代生活方式发展的强大动力，为电子设备的持续演进奠定了坚实的基础。在本文中，我们将探索光刻技术的奥秘，并了解它如何塑造微纳米结构的世界。
光刻技术：微纳米世界的奇妙魔法
2023-10-08
173
在我们身处的现代科技世界中，微型电子芯片已成为我们日常生活中不可或缺的一部分。无论是智能手机、电脑还是各种电子设备，其内部都隐藏着体积虽小却功能强大的电子元件，这些元件在半导体制造中扮演着至关重要的角色。然而，制造这些微小而复杂的电子元件需要一种高度精密的工艺——光刻技术。光刻技术或许对大多数人来说并不熟悉，但它却是现代科技和电子产业的重要支柱。它是一种复杂而精密的工艺，用于将微观电路图案精确地转移到半导体材料上，从而制造出功能强大的微处理器、存储芯片、传感器和其他半导体器件。此外，光刻技术在光子学、光电子学、纳米技术、生物医学等诸多领域也发挥着关键作用。本文将深入探讨光刻技术的核心概念、历史发展、技术进步、应用领域和未来趋势。我们将发现，光刻技术不仅仅是一种制造技术，它更是推动我们现代生活方式发展的强大动力，为电子设备的持续演进奠定了坚实的基础。在本文中，我们将探索光刻技术的奥秘，并了解它如何塑造微纳米结构的世界。
光刻技术：微纳米世界的奇妙魔法
2023-10-08
173
七、未来发展趋势 7.1 更小的工艺节点 未来光刻技术的主要趋势之一是向更小的工艺节点发展。半导体制造商一直在追求更小、更紧凑的电子元件，以提高性能。
平面型和沟槽型IGBT结构简析
2023-10-09
165
在目前的IGBT表面结构中，平面型和沟槽型IGBT可以说是势均力敌。许多读者初次接触这两个术语时，可能会误以为平面型IGBT的电流是水平流动的，而沟槽型IGBT的电流是垂直流动的。实际上，这是一种误解。无论是平面型还是沟槽型IGBT，电流都是垂直流动的。此外，对于我们熟悉的各种功率电子器件，例如IGBT、MOSFET、晶闸管和功率二极管，为了满足耐压要求，电流都是垂直流动的。对于IGBT而言，空穴电流从背面集电极流向正面发射极；电子电流从发射极流出，经过表面反型沟道，最终流向背面集电极。
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八种基本半导体制造工艺一览表
2023-10-10
150
如果您对半导体行业感兴趣，深入了解“八项基本半导体制造工艺”至关重要。我们为那些需要回顾或提高有关该主题的知识的人准备了一系列有关半导体制造工艺的文章。我们将在后面的文章中一一介绍这八个流程。我们希望当您需要查找八种基本半导体制造工艺时，本文将成为快速参考的有用资源。
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